Мощность и передача сигнала в электронике — вот что играет главную роль в нашем мире, и именно поэтому устройства, отвечающие за эти функции, имеют особенно важное значение. Один из ключевых компонентов, обеспечивающих передачу энергии, – это транзистор Irfz46n. В данной статье мы рассмотрим его характеристики, особенности и спецификации на русском языке, чтобы вы могли лучше понять, как он работает и где его можно применить.
Irfz46n – это полевой эффектный транзистор (FET), использующий технологию MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Он относится к группе N-канальных (n-channel), что означает, что он может управляться положительным напряжением на вентиле (Gate). Благодаря этому он обладает хорошей мощностью и пропускной способностью.
Одной из главных особенностей транзистора Irfz46n является его высокая мощность – до 53 Вт, что делает его идеальным выбором для применения в усилителях и силовых блоках. Кроме того, он способен работать при высокой температуре окружающей среды без потери производительности, что делает его надежным решением для промышленных приложений.
Интересно отметить, что Irfz46n обладает низким внутренним сопротивлением на вентиле, что обеспечивает хороший контроль включения и выключения. Благодаря этому, эта модель транзистора позволяет работать с большими токами и эффективно управлять передачей сигнала.
Irfz46n транзистор: полное описание
Особенности Irfz46n:
- Тип: n-канальный MOSFET
- Напряжение стока-истока (VDS): 55 В
- Ток стока (ID): 50 А
- Сопротивление слива-истока (RDS(on)): 0,022 Ом
- Максимальная рабочая температура: 175 °C
- Мощность: 100 Вт
- Форм-фактор: TO-220
Irfz46n предназначен для использования в широком спектре устройств, требующих усиления сигналов и переключения высоких токов. Он может использоваться в блоках питания, преобразователях постоянного тока, электронных переключателях и других подобных устройствах.
Благодаря низкому сопротивлению слива-истока и хорошей теплопередаче, Irfz46n обладает высокой эффективностью и надежностью в работе. Он также имеет низкие потери мощности и обеспечивает стабильную и точную работу в самых требовательных условиях.
Из-за своих превосходных характеристик и надежности, Irfz46n широко используется в электронной промышленности и проектах DIY. Он является отличным выбором для тех, кто ищет надежный и эффективный MOSFET транзистор.
Описание характеристик и применение
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Тип транзистора | N-канальный |
| Максимальное напряжение стока (Vds) | 55 В |
| Максимальный ток стока (Id) | 46 А |
| Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.022 Ом |
| Мощность переключения (Pd) | 94 Вт |
Транзистор Irfz46n используется в различных схемах и устройствах, где требуется управление высокими токами и низкими сопротивлениями. Он широко применяется в силовых источниках, импульсных преобразователях, усилителях мощности и других устройствах, где необходимо эффективное управление энергией.
Особенности и преимущества транзистора
Основные особенности транзистора Irfz46n включают:
| Высокая мощность | Транзистор Irfz46n способен работать с высокой мощностью, благодаря чему может использоваться в приложениях, требующих больших токов и напряжений. |
| Низкое сопротивление | Транзистор имеет низкое сопротивление насыщения, что позволяет эффективно передавать ток и значительно снижает потери мощности в процессе работы. |
| Высокая скорость коммутации | Благодаря быстрой скорости коммутации, транзистор позволяет эффективно управлять высокочастотными сигналами и быстро реагировать на изменения входного сигнала. |
| Высокая надежность | Транзистор обладает высокой надежностью и долговечностью, что позволяет использовать его в различных условиях эксплуатации и в тяжелых рабочих средах. |
| Простота в использовании | Транзистор имеет стандартные размеры и выводы, что облегчает его установку и подключение в электрическую схему. |
Таким образом, транзистор Irfz46n обладает рядом важных особенностей, которые делают его привлекательным для применения в различных сферах, включая энергетику, автомобильную промышленность, промышленные автоматизированные системы и другие области, где требуется высокая мощность и надежность.
Спецификации Irfz46n транзистора
Марка: Irfz46n
Тип: N-канальный MOSFET
Максимальное сопротивление: 0,022 Ом
Максимальное напряжение стока-истока: 55 В
Максимальный ток стока-истока: 50 А
Мощность пропускания тока: 175 Вт
Температурный диапазон: от -55°C до +175°C
Корпус: TO-220AB
Вес: 2,08 г
Применение: Irfz46n транзистор широко используется в электронных системах для управления высокими токами и напряжениями. Его особенности и высокая производительность делают его подходящим для применения в симметричных источниках питания, импульсных источниках питания, преобразователях постоянного тока и других устройствах, требующих надежного и эффективного управления мощностью.
Электрические характеристики
Транзистор Irfz46n имеет следующие характеристики:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 55 В |
| Gate-Source Voltage (VGSS) | ±20 В |
| Continuous Drain Current (ID) | 47 А |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 190 А |
| Power Dissipation (PD) | 94 Вт |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 В |
| Gate-Source Leakage Current (IGSS) | ±100 нА |
| Input Capacitance (Ciss) | 6800 пФ |
| Output Capacitance (Coss) | 750 пФ |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 750 пФ |
Приведенные характеристики отображают основные электрические параметры и условия эксплуатации транзистора Irfz46n. На основе этих данных можно оптимально подобрать детали при проектировании и использовании электронных схем.
Механические характеристики и упаковка
Транзистор Irfz46n имеет TO-220AB (пластиковый корпус) и предлагается в малом потерях и высокой эффективности при коммутации. Он обладает следующими механическими характеристиками:
- Размеры: 10.67мм x 4.57мм x 9.53мм
- Вес: 1.95г
Транзистор Irfz46n поставляется в пластиковой упаковке объемом TO-220AB. Упаковка обеспечивает защиту транзистора от влаги, пыли и механических повреждений во время транспортировки и хранения. Упаковка TO-220AB также обеспечивает удобство монтажа и подключения к другим компонентам электрической схемы.